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6N135M

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?高速晶体管光电耦合器

制造商:ON

产品信息

       6N135光电耦合器包含一个砷化铝镓二极管,该二极管光耦合到一个高速光电晶体管探测器。
  6N135为偏置二极管建立了单独的连接,降低了输入晶体管的基极-集电极容抗,使得6N135的速度比传统光耦提高了数个数量级。  

      6N135带有内部噪音屏蔽,提供优越的共模?#31181;疲?#36798;到10kV/μs。改良的配套方案提供优越的隔离性能,相比220V的工业标准,6N135的工作电压高达480V。


优势特点

HCPL4502M、HCPL4503M、HCPL2503M、6N135M、6N136M、HCPL2530M和HCPL2531M光电耦合器包含耦合高速光电检测器晶体管的AlGaAs LED。 通过降低输入晶体管的基极-集电极电容,单独连接实现光电二极管偏压使速度比传统光电晶体管光电耦合器提高数个级别。 HCPL4503M不会内部连接到光电晶体管基极,有助于?#32435;?#25239;噪能力,内部噪声屏蔽提供一流的共模?#31181;?#24615;能,高达50,000V/μs。

  • 超高速 – 1 MBit/s

  • 一流CMR – 10 kV/μs

  • 双通道HCPL2530M HCPL2531M(初?#21450;媯?/p>

  • CTR保证 0–70°C

  • U.L. 认证(文件编号 E90700,卷 2)

  • VDE认证(待定)–订购选件“V?#20445;?#20363;如6N135VM

  • 5,000Vrms(1?#31181;櫻?#38548;离电压

  • 一流CMR,15,000V/μs min. (HCPL4503M)

  • 无基极连接,以?#32435;?#25239;噪能力(HCPL4502M、HCPL4503M)


规格参数

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电路图、引脚图和封装图

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技术资料

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8 LEAD PDIPPDF34 点击下载
PDIP8 GWPDF62 点击下载
UL:E90700_2PDF1257 点击下载
SC_CQC14001116479.pdfPDF181 点击下载
VDE:40018398PDF742 点击下载

系列产品索引查?#27492;?#26377;产品

6B116B116BP046B12
6N135M6B50611-BTND640F6BP16
6N137M6N139M6B216B12
6B50687108140226B136N138M
6BP046BP1666AK2H126BP01
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